一家美國創業公司開發出一種更緊湊更快的內存芯片，向DRAM和Flash芯片發起了挑戰。新的內存芯片被稱為交叉內存（crossbar memory），由Crossbar研發，該公司聯合創始人兼首席科學家是密歇根大學教授Wei Lu。

演示用交叉內存芯片正在臺積電制造，一塊200平方毫米大小的芯片能儲存1TB數據，相比之下，一塊類似大小的flash內存芯片只能儲存16GB數據。所謂交叉內存是指出兩層均勻分布棒狀的電極上下疊加在一起，上層和下層呈直角，形成一個網格。數據比特就儲存在交叉點。在Crossbar的芯片中，上層電極由銀構成，下層由非金屬導體構成，用非晶硅在交叉點儲存數據。Crossbar獲得了2500萬美元的投資商業化Lu的研究。

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本文標題：新內存芯片挑戰DRAM和Flash

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