分析稱芯片升級變慢將阻礙智能手機發展

作者: 來源:IT新聞網 2012-12-29 01:00:40 閱讀 我要評論 直達商品

工程師正在芯片上安裝更多的晶體管,但晶體管的微型化步伐--被稱為摩爾定律--面臨著一個重大障礙。當前在芯片上印制電路的光刻顯影工藝被認為無法制造出本10年末所需的更微型圖案。芯片制造商在開發新的EUV(遠紫外光)光刻技術上遇到難題。

8月28日消息,據美國媒體報道,智能手機和其他設備變得越來越智能化,但如果電腦芯片的一項關鍵升級不能很快出現,這種趨勢可能存在變數。半導體為電子產品提供了大腦、數據存儲和其他能力,因此芯片的升級對生產更小、速度更快和更廉價的設備是必不可少的。

工程師正在芯片上安裝更多的晶體管,但晶體管的微型化步伐--被稱為摩爾定律--面臨著一個重大障礙。當前在芯片上印制電路的光刻顯影工藝被認為無法制造出本10年末所需的更微型圖案。芯片制造商在開發新的EUV(遠紫外光)光刻技術上遇到難題。

基于該技術的工具成本約為當前設備的2倍--一些人估計每臺價格達到驚人的1億多美元--還不能迅速加工芯片,不足以大量生產芯片。開發EUV的進一步推遲可能對未來幾年電子行業產生連鎖反應,使很多生產商生產更先進芯片的成本過高,拖慢了智能手機和電腦的發展。

Real World Technologies的首席分析師大衛·坎特(David Kanter)表示:“雖然行業整體不會完全被困住,但情況不容樂觀。”對于向EUV和開發基于該技術工具的ASML公司投資了大量資金的芯片公司,這種風險很大。

最近英特爾宣布向ASML投資41億美元,而臺積電和三星也分別承諾投資14億和9.75億美元。當前的光刻系統使用光在芯片上投影電路圖案。問題是傳統使用的光的波長現在比定義的晶體管尺寸更大。芯片公司裁員了很多方法來延長當前技術的壽命,包括通過液體發光獲得更精細的圖像。

通過產生波長短得多的光,EUV可提供更細的光束。但EUV也遇到頭痛的問題,更短的波長導致EUV射線可被包括空氣在內的幾乎任何東西吸收,因此必須使用反光鏡在真空環境中制作。激光要瞄準在真空容器里以每小時240英里速度飛行的大小如發絲的錫珠,通過交互作用產生光,然后將光發送到在芯片印制電路圖案的掃描儀。

ASML在其系統中遇到光強度的阻礙,該公司發現激光難以每次都準確擊中錫珠,而且錫珠可能粘上反光鏡,這2個因素都影響了光的強度。該公司沒有透露,使用當前的工具1小時能生產多少晶圓片,但分析師認為,只有20-30塊,如果要被行業廣泛采用,EUV系統必須每小時加工100塊晶圓片。

為ASML的EUV設備開發光源的Cymer公司表示,過去1年半里光的強度提高了約10倍,從而提高了每小時晶圓片加工數量。該公司研究員和營銷及光刻技術副總裁尼格爾·法拉爾(Nigel Farrar)表示,其瞄準將光強度再提高10倍,然后在此基礎上再提高2-3倍。

ASML高級技術主管諾林·哈尼德(Noreen Harned)表示,到2014年早期采用者將可使用EUV進行大量生產。雖然開發EUV還在繼續,但廠商也在盡可能地采取措施延長現有技術的壽命。他們也準備好一旦EUV無法按期推出,將選擇替代技術。

英特爾高級研究員和先進光刻技術主管雅恩·菠蘿多夫斯基(Yan Borodovsky)表示:“我們有了無論EUV是否成功都能實現技術目標的途徑。”一個可選技術為DSA(定向自組裝),雖然企業開發該技術還處于早期階段,但專家們看到了希望。

ASML最大的競爭者尼康希望改造設備,使其變得DSA友好。該公司北美研究部門成像專家達尼斯·弗拉格洛(Donis Flagello)表示:“EUV技術非常昂貴,我們不確定,沒有更大的晶圓片EUV對客戶是否有意義。”

不過,迄今的投資顯示出行業將大多數賭注放在了EUV,以延長摩爾定律。美光科技的首席執行官馬克·杜爾肯(Mark Durcan)表示:“我完全相信ASML可讓該技術可行,在我看來,這不是能否的問題,而是時間的問題。”


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