阻變存儲器RAM（RRAM）是一種可以用于PC和移動設備的內部存儲器，相比現在的閃存，它的速度快上許多，讀寫時還非常節能。今天，加州一家技術公司Crossbar宣布研發出全新電阻式RAM技術，可以在一顆比郵票還小的單芯片中存下1TB的數據，這意味著未來電子產品的存儲密度將極大地提高，同時RRAM的寫入性能比目前最好的NAND芯片還快上20倍，讀寫時的功率僅為1/20。

取決于不同的設備，RRAM可以將設備電池壽命延長數周、數月甚至數年，使用壽命也10倍于NAND，可以說是一種完美的高速存儲器。Crossbar還表示，這種存儲器還可以以陣列的方式運行，他們計劃將這項技術授權給其它公司使用，目前30余項專利已經被授予。

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本文標題：最新阻變存儲器RRAM技術可在單芯片中存下1TB數據

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