三星今天正式宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)“最先進(jìn)”的DDR4內(nèi)存。三星官方表示這些內(nèi)存具備高性能高密度等特性，主要裝備在下一代數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級(jí)服務(wù)器上。這些DDR4內(nèi)存基于20納米制程，使用4Gb(gigabit)DDR4芯片來(lái)提供16GB和32GB兩種規(guī)格內(nèi)存模組。

    使用4Gb芯片裝備的DDR4內(nèi)存能夠減少30%的功耗，DRAM數(shù)據(jù)傳輸峰值將達(dá)到2,667megabits per second (Mb/s)，是同樣采用20納米制程的DDR3內(nèi)存的1.25倍.

    三星在發(fā)言稿中表示：“今年我們將會(huì)通過(guò)超高速DDR4內(nèi)存來(lái)繼續(xù)推動(dòng)企業(yè)級(jí)服務(wù)器的發(fā)展，繼今年早些時(shí)候開(kāi)始供應(yīng)16GB的DDR3之后，今年我們將會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大高端服務(wù)器市場(chǎng)的份額，并將重點(diǎn)放在具備更高密度更高性能的32GB的DDR4內(nèi)存上，并有望在2014年在綠色I(xiàn)T市場(chǎng)上贏得突破性的增長(zhǎng)。”

編譯于 sammyhub

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本文標(biāo)題：[圖]降30%功耗+2667Mb/s 三星宣布量產(chǎn)“最先進(jìn)”的DDR4內(nèi)存

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