爾必達破產內存或上漲 主流DDR3/4GB內存導購

作者: 來源:未知 2012-03-05 08:27:29 閱讀 我要評論 直達商品

 

2月27日,日本爾必達(ELPIDA)全球第三大內存芯片制造廠商在東京法院申請破產保護。對破產的原因爾必 達公司是這樣解釋的:內存芯片行業的產能嚴重過剩,全球經濟形勢惡化,需求顯著放緩,日元升值,行業內激烈的價格競爭等因素,使公司經營環境惡化。”內存 行業經歷了2011的寒冬,2012的春天先倒下的竟是內存芯片巨頭爾必達。

受到爾必達破產的影響,迅速波及內存市場,內存條報價上漲了10%--20%不等。對此,各方反應不一。

爾必達破產的消息一傳出就像一顆定時炸彈頓時爆炸,內存價格紛紛上漲,你是持幣觀望還是趁早入手呢?

    推薦產品:三星DDR3 1333 4G

    參考價格:150元

三星是全球最大的內存芯片制造廠商,隨著爾必達的破產,三星在內存芯片業務的占有率將進一步提升。三星 4G DDR3內存條采用韓國原廠內存芯片,性能表現優異,給用戶留下深刻印像。

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三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)

三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)內存采用全黑窄型PCB作為內存元件基板設計,高度只有普通標準內存高度的二分之一,矮小的設計可以為平臺騰出部分散熱空間,同時也不會對體積巨大的散熱器造成安裝上的沖突。

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背面的8顆內存芯片

三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)內存采用雙面搭載內存芯片模塊設計,在窄小的內存PCB板上每面焊接了各八枚內存芯片,兩面共16枚內存芯片模塊構成了內存4GB的規格容量。

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三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)內存所使用的雙面焊接設計相比單條2GB的單面焊接設計在PCB電路設計空間上要小上不少,所以內存的電容排阻以及蛇形走 線都被設置在空間較為寬敞的PCB兩側邊緣,內存條整體的電路設計以及元件焊接工藝都體現出專業大廠的雄厚實力。

點評:三 星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)內存作為一款單條容量達到4GB的主流級內存產品,雖然沒有超頻內存所具備的優秀頻率提升能力,但是得益于采用嚴格工藝制 作規范制造的原廠內存芯片和合理的電路設計,在默頻DDR3-1333和超頻DDR3-1600這兩個廣泛使用的主流內存工作頻率下都表現出了不錯的穩定 性能。

經歷了2011年的慘淡經營,現在最大的競爭對手爾必達破產了,三星在調整內存芯片價格掌握著主動權,目前報出150元的價格還在可接受的范圍內,后續價格走勢怎樣還待觀察。

 

    推薦產品:金士頓DDR3 1333 4G

    參考價格:143

金士頓內存條市場占有率居全球第一,其內存芯片的1/3依靠爾必達提供。爾必達申請破產期間,工廠停工,影響金士頓內存的正常生產,這就像泰國洪水影響西部數據的正常生產一樣,內存漲價那是必然的。

爾必達破產內存或上漲主流DDR3/4GB內存導購(2)
金士頓 DDR3 1333 4G

金士頓DDR3 1333 4G采用慣用的墨綠色PCB,整體采用微型的貼片電容和高品質、高精確度電阻,布線嚴謹,兩面的走線交錯縱橫,能夠最大幅度的避免電路之間相互影響,同時焊點均勻飽滿,做工工整。

爾必達破產內存或上漲主流DDR3/4GB內存導購(2)
金士頓 DDR3 1333 4G

規格方面,金士頓單條4GB DDR3-1333內存采用標準的CL9時序,電壓為1.5V,封裝于中國。

爾必達破產內存或上漲主流DDR3/4GB內存導購(2)
金士頓 DDR3 1333 4G

金士頓單條4GB DDR3-1333內存表面粘貼有總代理防偽標簽,消費者可以通過電話或者短信方式查詢真偽,有效的保障了自身利益。

點評:作為一款大容量的內存條,金士頓DDR3 1333 4G做工扎實,采用了微型的貼片電容和高品質、高精確度電阻,更能確保工作的穩定。筆者從賣場了解到目前的價格143元,金士頓內存有寬窄版之分,有興趣的朋友不妨趁早入手。

 

    推薦產品:宇瞻DDR3 1333 4G

    參考價格:140元

宇瞻總部一直對經銷商進行嚴格管理,要求務必有價有貨。面對著爾必達的破產的消息,經銷商沒有廠商指導價,跟其他品牌一樣價格都漲到140元了。

爾必達破產內存或上漲主流DDR3/4GB內存導購(3)
宇瞻 DDR3 1333 4G

宇瞻 DDR3 1333 4G內存采用高品質8層墨綠色PCB板作為內存的元件基板,考慮到產品定位以及節約成本等原因,內存條上并沒有采用漂亮的散熱外甲設計。

爾必達破產內存或上漲主流DDR3/4GB內存導購(3)
背面8顆內存芯片

宇瞻 DDR3 1333 4G內存單條容量為4GB,相比現在主流內存的單條容量足足多出一倍的容量,采用雙面焊接內存芯片設計,每面焊接8顆容量為256MB的內存芯片,兩面共16顆內存芯片組成4GB的內存容量規格。


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