業(yè)內(nèi)消息來源稱，NAND閃存主要供應(yīng)商韓國(guó)三星電子和日本東芝正在制定計(jì)劃以減緩12英寸晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)張的速度，防止NAND閃存價(jià)格像DRAM一樣跌入無底洞。

臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，業(yè)內(nèi)消息來源稱，NAND閃存主要供應(yīng)商韓國(guó)三星電子和日本東芝正在制定計(jì)劃以減緩12英寸晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)張的速度，防止NAND閃存價(jià)格像DRAM一樣跌入無底洞。

目前三星和東芝的閃存制程正在由21nm向19nm過渡，隨著制程的進(jìn)步單個(gè)晶圓可切割的芯片也越來越多。消息來源表示，由于需求量有限，NAND閃存產(chǎn)品如SSD和U盤成品目前正陷入供過于求的狀態(tài)售價(jià)接連下跌。

消息來源指出，三星和東芝目前最可能采取的手段是推遲計(jì)劃中12英寸晶圓廠擴(kuò)建的速度。因Ultrabook和SSD的需求在2012年不盡如人意，預(yù)計(jì)NAND閃存芯片價(jià)格將會(huì)持續(xù)疲軟。但另一陣營(yíng)的閃存大廠Intel與美光（Micron）聯(lián)合即IMFT目前尚看不到采取措施的跡象。

在中國(guó)大陸市場(chǎng)，NAND閃存的價(jià)格在六月趨于穩(wěn)定但終端市場(chǎng)產(chǎn)品仍然維持下降趨勢(shì)，分析人士認(rèn)為售價(jià)趨穩(wěn)是由于三星降低了對(duì)內(nèi)地渠道批發(fā)商的供貨數(shù)量。

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本文標(biāo)題：傳三星東芝減緩閃存擴(kuò)張速度 避免重蹈內(nèi)存覆轍

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