經過長時間的等待之后，鐵電體內存（FRAM）廠商Ramtron公司終于宣布其委托IBM代工的首批樣品驗證用FRAM芯片已經制作測試完成，開始進入樣件送樣/客戶驗證階段。
2009年，Ramtron與IBM公司達成代工FRAM芯片的協議，按照雙方原來的計劃，準備在2010年使用IBM的0.18微米制程制作出首批FRAM樣品芯片。然而，IBM公司在后來的研發制造過程中遇到許多問題，無法成功提升這款產品的產量，導致了這項計劃的延遲。
上個月，Ramtron公司CEO Eric Balzer承認公司的FRAM客戶已經對這次延遲感到不滿，不過他表示這些客戶中的大多數并不會棄Ramtron而去，同時他還表示Ramtron本身今年一季度的銷售業績也因此而受損嚴重。
現在他們終于渡過了最困難的時期。本周三，Balzer在一份公司聲明中說：“發布FM24C04C和FM24C16C兩款FRAM芯片樣品對我們的新代工項目有里程碑式的意義。 ”
資料：Ramtron的鐵電體產品存儲單元結構
據Ramtron公司表示，FM24C04C和FM24C16C兩款FRAM均屬同一系列產品，產品采用串行I2C接口，IO電壓5V，FRAM的位密度則分別為4kbit和16kbit。可為電子設備提供高性能的非易失性數據存儲解決方案，公司還稱其FRAM產品在寫入時間，讀寫周期耐久性和省電性能方面相比其它的產品更勝一籌。
Ramtron公司CEO Balzer說：“這次送樣的預驗證用產品可以滿足我們制定的性能指標要求，并符合守我們嚴格質量標準的要求，現在這批樣品已經可以交付客戶做產品驗證用途。更多的FRAM產品，如3V電壓，I2C接口的產品以及5V電壓，SPI接口的產品則很快會在我們完成內部測試之后對外交付驗證用樣品。”Balzer是在今年一月份頂替辭職的前任Bill Staunton出任公司CEO的。
FM24C04C和FM24C16C采用的是串行I2C總線接口界面，工作電流100uA（在100kHz總線工作頻率下），總線接口運行頻率最高可達1MHz。這兩款產品將直接替代公司現有的4kbit/16kbit密度串行接口EEPROM存儲芯片，被應用到工控，測量設備，醫療，軍用，計算機，游戲機等應用場合。
FM24C04C和FM24C16C采用標準的8針SOIC封裝形式，工作溫度-40°C至+85°C，另外，Ramtron公司還宣稱FM24CxxC系列產品的單字節寫入時間可比EEPPROM產品快200倍左右。
2009年IBM與Ramtron達成代工協議后，IBM在其位于Burlington的芯片廠中采用Ramtron開發的制程技術為其代工FRAM產品。除了IBM之外，Ramtron還與德州儀器，日本富士通兩家公司也簽署了代工FRAM的合約，不過后來日本富士通由于種種原因已經被Ramtron開除出列。
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本文標題：FRAM艱難起步：Ramtron宣布IBM代工芯片樣品進入送樣/客戶驗證階
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