5月17日消息，據國外媒體報道，惠普研發人員已經在“憶阻器”下一代內存技術方面取得了小的突破，一些人認為它可能會替代當今普遍應用的閃存和DRAM技術。

惠普研發人員在周一《納米技術》雜志中提到，他們已經掌握了電氣操作過程中“憶阻器”內部發生變化時的基本化學性質和結構。

惠普高級研究員Stan Williams說，在此前，盡管工作的憶阻器已在實驗室制成，但是研發人員并不清楚在微小結構內部發生了什么。當惠普有信心可以將此項技術商業化時，這一發現將極大地提高計算機和內存的性能。

憶阻器最先是由加州大學一個教授提出來的。在此之前，研究人員只知道3個基本電路原件——電阻器，電容器和電感器。幾十年后，惠普的研發人員證明了憶阻器是真實存在的，并進一步證明其可以在2個或2個以上電阻之間來回切換，這將使得在數字運算時，他們可以代表1或0。有憶阻器的內存類型叫做ReRAM,具有非易失性的特點。這意味著在電源關閉后設備可以保存這些數據。但對比DRAM，電源關閉后，存儲的數據會丟失。

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本文標題：惠普下一代內存技術或將取代閃存和DRAM

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