英特爾推三維晶體管 可將芯片性能提高37%

作者:IT新聞網 來源:IT新聞網 2011-12-30 08:55:06 閱讀 我要評論 直達商品

據國外媒體報道,英特爾周三推出了一款三維晶體管,據說可以讓芯片在保持高性能的前提下減少能耗。這種三維晶體管Tri-Gate可以在低電壓條件下將性能提升37%。

北京時間5月5日消息,據國外媒體報道,英特爾周三推出了一款三維晶體管,據說可以讓芯片在保持高性能的前提下減少能耗。

英特爾在舊金山召開新聞發布會表示,它將在轉向22納米制造工藝時采用這項新芯片技術。消息發布之后,英特爾股票上漲2%,報收于每股23.50美元。該股是道瓊斯工業平均指數指標股中今日漲幅最大的股票。

英特爾將這種新的三維晶體管稱作Tri-Gate,它將在一款名為Ivy Bridge的新芯片產品中投入量產。

英特爾表示,與32納米的平面晶體管相比,22納米的三維晶體管Tri-Gate可以在低電壓條件下將性能提升37%。

英特爾稱,這項技術非常適用于小型便攜設備。英特爾一直在努力加強它在移動計算領域的地位,它在這個領域的最大競爭對手是ARM。

英特爾周三還在各種計算設備中展示了Ivy Bridge芯片。


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