北京時(shí)間5月3日下午消息，爾必達(dá)周二宣布，他們已經(jīng)開發(fā)出了基于25納米制程工藝的2Gb DDR3內(nèi)存芯片。

北京時(shí)間5月3日下午消息，爾必達(dá)周二宣布，他們已經(jīng)開發(fā)出了基于25納米制程工藝的2Gb DDR3內(nèi)存芯片。

爾必達(dá)最新內(nèi)存芯片可支持1866Mbps數(shù)據(jù)傳輸速率，并兼容低壓1.35伏1600Mbps數(shù)據(jù)傳輸。和爾必達(dá)30納米工藝相比，新工藝芯片每比特所需要的存儲(chǔ)單元空間降低30%，每片晶圓上的芯片產(chǎn)能提升30%。

爾必達(dá)將在今年7月份進(jìn)行芯片樣品出貨和量產(chǎn)，并計(jì)劃在今年年底前量產(chǎn)25納米工藝4Gb DDR3顆粒。

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本文標(biāo)題：爾必達(dá)開發(fā)出25納米工藝內(nèi)存芯片

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