2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級別，2011年則將成為20nm級別普及的開端，同時10nm級別工藝的投資和研發也即將陸續開始。

2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級別，2011年則將成為20nm級別普及的開端，同時10nm級別工藝的投資和研發也即將陸續開始。

SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營業費用投資就是研發，包括Fab 5晶圓廠上線投產，以及(10nm級別)和更先進NAND閃存制造工藝的技術投資。”

SanDisk指出，得益于移動設備的全球浪潮，閃存的市場需求正在迅猛增加，因此SanDisk將與東芝合作，加速2bpc(每單元兩個比特)、3bpc等規格MLC NAND閃存芯片的生產。

截至2011年1月2日，SanDisk第四季度收入13.3億美元，同比增長7％，環比增長8％，去年總收入48.3億美元，相比2009年的 35.7億美元大幅增長了35％；第四季度GAAP審計凈利潤4.85億美元(每股收益2.01億美元)，同比增長43％，環比增長51％，全年凈利潤 13.0億美元，同比增長31％。

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本文標題：SanDisk聯手東芝開發10納米閃存工藝

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