三星電子星期二稱，它已經(jīng)開發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。 

1月5消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子星期二稱，它已經(jīng)開發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。

 

三星電子在聲明中稱，它將在2012年開始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。

 

目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流產(chǎn)品是DDR3內(nèi)存模塊，其性能比DDR2產(chǎn)品有所提高。三星電子稱，它是DRAM內(nèi)存行業(yè)第一個(gè)開發(fā)出DDR4內(nèi)存芯片的廠商。

 

三星電子補(bǔ)充說，這種新的內(nèi)存芯片還將把電源消耗減少一半。與DDR3內(nèi)存芯片相比，DDR4內(nèi)存芯片的耗電量是1.2伏，數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒2.133GB。而DDR內(nèi)存芯片的耗電量是1.35伏或者1.5伏，數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒1.6GB。 

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本文標(biāo)題：三星宣稱已開發(fā)出DDR4內(nèi)存 比上0代快一倍

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