全球第二大內存芯片廠商海力士半導體星期三稱，它已經開發出一種新的基于30納米技術的內存芯片。這個里程碑式的事件可能會幫助海力士渡過全球半導體市場的衰退。
海力士在聲明中說，它開發出了使用30納米技術的全球第一個4GB DDR3內存。
這種新的芯片主要面向高端服務器和PC市場，提供比目前采用40納米技術制作的內存芯片更快的速度并且將效率提高70%。
海力士在明年第一季度還將生產采用30納米技術的其它小容量的DRAM內存芯片。這種最新產品的生產將在未來幾個月之內實施。
專家說，此舉表明海力士正在從40至50納米技術向30至40納米技術過渡。采用高級的技術，芯片廠商能夠顯著降低生產成本和得到更多的利潤。
Kiwoom證券公司技術行業研究負責人Kim Seong-in說，臺灣和日本的企業仍在重點使用50至60納米技術。而海力士正在向30至40納米技術過渡。成本競爭優勢種的這個差距將擴大。
Kim補充說，此舉還將幫助韓國芯片廠商通過降低生產成本應對半導體行業最近的衰退。
據LIG投資與證券公司分析師Kim Young-jun說，2010年第四季度全球PC需求低于預期促使內存芯片價格下降。12月份的2GB DDR3 DRAM內存價格比三個月前下降了54%。
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本文標題：全球第二芯片廠商稱開發里程碑式納米芯片
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