報(bào)道指出，三家公司有意組建一家新集團(tuán)，同時(shí)廣邀約10家半導(dǎo)體材料和相關(guān)領(lǐng)域的公司加盟，可能在2016年前將半導(dǎo)體線寬縮減逾半至接近10納米。 　精彩推薦

北京時(shí)間10月29日消息，據(jù)路透社引述日經(jīng)新聞報(bào)道指出，英特爾、東芝及三星電子將攜手共同研發(fā)10納米技術(shù)，初期研發(fā)資金約100億日元（約合8.2648億元人民幣）。

報(bào)道指出，三家公司有意組建一家新集團(tuán)，同時(shí)廣邀約10家半導(dǎo)體材料和相關(guān)領(lǐng)域的公司加盟，可能在2016年前將半導(dǎo)體線寬縮減逾半至接近10納米。

新集團(tuán)的初步研發(fā)資金約為100億日元，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省可能會(huì)提供約50億日元，其余資金則由集團(tuán)成員出資。

據(jù)稱(chēng)，東芝和三星計(jì)劃運(yùn)用該技術(shù)生產(chǎn)10納米制程的NAND閃存記憶體等芯片，英特爾則可能用來(lái)發(fā)展更快速的微處理器。

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本文標(biāo)題：英特爾三星東芝研發(fā)10納米技術(shù) 2016年有望線寬減半

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