瑞晶總經理陳正坤、爾必達董事兼DRAM技術部長五味秀樹共同召開記者會，爾必達將在瑞晶設立技術研發中心，包括力晶、爾必達等均會借派成員，進入該技術研發中心，估計2年的投資金額達5000萬美元至8000萬美元，合新臺幣約15億元至20億元。

1月6日消息，據臺灣媒體報道，DRAM產業在工藝微縮競爭白熱化，瑞晶與爾必達宣布，爾必達將在瑞晶設立研發中心，預計分2年投資15億元至20億元，共同開發下一代40nm4F2技術，瑞晶因此轉戰40納米工藝，每片12寸晶圓產出將逾1200片。

據報道，瑞晶總經理陳正坤、爾必達董事兼DRAM技術部長五味秀樹共同召開記者會，爾必達將在瑞晶設立技術研發中心，包括力晶、爾必達等均會借派成員，進入該技術研發中心，估計2年的投資金額達5000萬美元至8000萬美元，合新臺幣約15億元至20億元。

爾必達表示，未來有一半以上的產品會以40納米為主，而該公司的40納米工藝是歷代微縮工藝中，最順利的一代。

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