北京時間8月12日早間消息，據(jù)國外媒體今日報道，英特爾和美光科技已經(jīng)合作開發(fā)了一種“Three-bit-per-cell(每個單元可存儲3位數(shù)據(jù))”的全新NAND閃存技術(shù)，并表示使用這種技術(shù)的閃存芯片是業(yè)內(nèi)效率最高的NAND產(chǎn)品。

　　目前幾乎所有的閃存芯片都只能在每個單元中存儲1位或2位數(shù)據(jù)，而存儲3位數(shù)據(jù)的技術(shù)則可起到提高容量和降低成本的作用。

　　NAND芯片通常用于閃存卡和U盤等存儲設(shè)備，存儲器的訪問方式類似于硬盤。英特爾上個月稱，該公司正在向更加先進的34納米制造工藝轉(zhuǎn)型，來生產(chǎn)其基于NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品，這種產(chǎn)品將可幫助PC和筆記本廠商降低成本。英特爾和美光科技表示，兩家公司將通過其合資企業(yè)從第四季度開始大規(guī)模生產(chǎn)這種芯片。

　　美光科技存儲部門副總裁布賴恩·謝利(Brian Shirley)稱，兩家公司將“繼續(xù)推動進一步縮小NAND芯片尺寸的進程”，并表示其認為每個單元可存儲3位數(shù)據(jù)的NAND技術(shù)是“我們布局圖中的重要組成部分”。（編輯：王小凡）

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本文標題：英特爾與美光科技開發(fā)出全新閃存技術(shù)

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