三星電子近日研發(fā)出了世界首款40納米1G DDR2 動(dòng)態(tài)內(nèi)存（1納米等于十億分之一米），預(yù)計(jì)2010年正式量產(chǎn)。

    【IT商業(yè)新聞網(wǎng)訊】2月4日消息，三星電子近日研發(fā)出了世界首款40納米1G DDR2 動(dòng)態(tài)內(nèi)存（1納米等于十億分之一米），預(yù)計(jì)2010年正式量產(chǎn)。

據(jù)了解，40納米內(nèi)存與目前普遍使用的50、60納米內(nèi)存相比，芯片面積更小，同時(shí)可以在低電低壓的環(huán)境下運(yùn)行。1.2V環(huán)境下運(yùn)行的40納米內(nèi)存能夠比50納米1.5V內(nèi)存減耗30%以上，從而為服務(wù)器等高耗能設(shè)備提供更加環(huán)保高效的能源解決方案。

三星電子同時(shí)透露，在2009年還將實(shí)現(xiàn)40納米2G DDR3的研究和開(kāi)發(fā)，該產(chǎn)品將比去年9月量產(chǎn)的50納米2G DDR3生產(chǎn)效率提高約60%。（編輯：Kobe）

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本文標(biāo)題：三星電子研制出首款40納米內(nèi)存 2010年正式量產(chǎn)

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