韓聯社首爾1月4日電 知識經濟部4日表示，已經受理了三星電子提交的要求在中國設立10納米級閃存(NAND Flash)工廠的申請。

　　知識經濟部表示，三星電子上月6日提交了相關申請。之后，電子電器方面的產業技術保護專業委員會舉行了兩次會議審查了三星在中國設立工廠的必要性和技術泄漏的可能性等問題，最終做出了同意決定。

　　但是，為防止國家核心技術非法泄漏，三星電子將制定和執行技術保護對策，并定期對保護情況進行評估。

　　據此，三星電子將推動獲得中國政府的設廠許可并開始工廠選址工作，爭取在明年投產。

　　知識經濟部當天還要求三星制定補充對策，減少此次對中國投資可能給國內經濟帶來的負面影響。三星電子則承諾繼續擴大在韓國國內的半導體投資。

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本文標題：韓國三星電子在中國設立10納米級閃存廠

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