2012年央視春晚的舞臺令人驚艷，其最大的亮點在于半導(dǎo)體照明(LED)技術(shù)的應(yīng)用，LED燈在舞臺上升降，組合成絢爛唯美的畫面。實際上，自2008年北京奧運會后，LED就“一亮成名”。之后，無論是在2009年慶祝中華人民共和國成立60周年時天安門廣場佇立的巨大LED顯示屏、大型音樂舞蹈史詩《復(fù)興之路》的演出現(xiàn)場，還是在2010年上海世博會上，LED都以其特有的光彩備受世人關(guān)注。
璀璨炫目的LED的背后是高科技的支撐。記者從科技部了解到， 從“十五”開始，科技部就率先支持半導(dǎo)體照明技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2003年，面對照明技術(shù)的革命和新興產(chǎn)業(yè)的巨大潛力，科技部緊急啟動了國家半導(dǎo)體照明工程。通過國家科技攻關(guān)計劃、863計劃、國家科技支撐計劃等國家科技計劃，持續(xù)支持半導(dǎo)體照明的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)從無到有，逐步發(fā)展壯大，制約產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破，產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)研發(fā)與創(chuàng)新能力快速提高，目前已形成從上游外延芯片、中游器件封裝到下游集成應(yīng)用較為完善的技術(shù)創(chuàng)新鏈和具備較強(qiáng)國際市場競爭力的產(chǎn)業(yè)鏈。
搶占技術(shù)與產(chǎn)業(yè)制高點
LED是第三代半導(dǎo)體材料制作的光源和顯示器件，具有耗電量少、壽命長、無污染、色彩豐富、可控性強(qiáng)等特點，是照明光源及光產(chǎn)業(yè)的一次革命。20世紀(jì)90年代以來，全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)規(guī)模年增長率保持在20%以上，近幾年增速明顯加快。
記者從科技部了解到， 自2003年科技部牽頭啟動國家半導(dǎo)體照明工程以來，我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，初步形成完整的研發(fā)體系和產(chǎn)業(yè)鏈，并在示范應(yīng)用方面走在世界前列。在此基礎(chǔ)上，半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)作為我國的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，受到國家層面的高度重視與支持。2009年，為推動我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)健康有序發(fā)展，促進(jìn)節(jié)能減排，國家發(fā)改委、科技部、工業(yè)和信息化部、財政部、住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部、國家質(zhì)檢總局聯(lián)合印發(fā)《半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見》，從國家層面統(tǒng)籌規(guī)劃，穩(wěn)步提升半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平。與此同時，科技部啟動了“十城萬盞”半導(dǎo)體照明應(yīng)用工程試點工作，分兩批批復(fù)了37個“十城萬盞”試點城市，以應(yīng)用促發(fā)展，極大地推動了技術(shù)集成和創(chuàng)新應(yīng)用，促進(jìn)了市場機(jī)制和商業(yè)模式的形成。路燈、隧道燈等功能性照明節(jié)能減排效果顯著，農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、通信等“超越照明”取得突破，而半導(dǎo)體照明技術(shù)在2008年北京奧運會、2010年上海世博會等重大活動中的典型示范應(yīng)用，獲得了黨中央和國務(wù)院的高度肯定，在國際上產(chǎn)生了重大影響。
近年來，在科技部的引導(dǎo)和相關(guān)部門的政策支持下，我國半導(dǎo)體照明技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展步入快行道，已成為全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展最快的區(qū)域之一。
科技支撐為產(chǎn)業(yè)發(fā)展保駕護(hù)航
目前，我國已初步形成了從上游外延材料與芯片制備、中游器件封裝及下游集成應(yīng)用的比較完整的技術(shù)創(chuàng)新鏈。
在國家科技計劃的持續(xù)支持下，LED產(chǎn)業(yè)鏈上下游進(jìn)行了實質(zhì)性合作，在部分核心關(guān)鍵技術(shù)方面取得突破。2010年，我國產(chǎn)業(yè)化大功率LED芯片光效超過100 lm/W，與國際先進(jìn)水平的差距縮小到2-3年；封裝達(dá)到國際先進(jìn)水平(120-130 lm/W)；在國際上首次推出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Si襯底LED芯片，光效超過90 lm/W，已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化；下一代核心技術(shù)方面，我國與國際處在同一起跑線上，如深紫外LED器件的研發(fā)處于國際領(lǐng)先水平。
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本文標(biāo)題：科技引領(lǐng)LED產(chǎn)業(yè)璀璨生輝
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