一直以來手機行業(yè)的高端處理器都是被高通和三星占據(jù)著，現(xiàn)在他們聯(lián)合開發(fā)了高通驍龍系列下一代旗艦產(chǎn)品驍龍835處理器。根據(jù)展示會上的介紹，它是第一款利用三星10nm技術(shù)制造的手機芯片，明年上半年將會搭載到成品手機上面。

　　官方介紹，該芯片面積比之前使用14nm制造工藝的高通驍龍820和821減少30%，執(zhí)行速度提升27%，功耗下降40%。該芯片已經(jīng)開始批量生產(chǎn)，最早的手機有可能在明年MWC大會登場。

　　該處理器支持QC4.0快速充電技術(shù)，使用高通智能協(xié)商最佳電壓(INOV)算法，該算法管理設(shè)備通過充電電纜請求的電量。支持熱管理功能，支持三級電流和四級電壓保護，以防止過熱。比高通上一代快速充電技術(shù)縮短30%的充電時間，電池效率提高30%。

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本文標(biāo)題：高通公布驍龍835處理器 支持QC4.0快充

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