針對(duì)英特爾英特爾上周發(fā)布的3D晶體管技術(shù)，蘋(píng)果產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)前總裁吉恩·路易斯·蓋斯(Jean-Louis Gassée)日前表示懷疑，稱產(chǎn)品的推出才算是發(fā)布，發(fā)布技術(shù)突破新聞是為了掩蓋新產(chǎn)品的匱乏。

【IT商業(yè)新聞網(wǎng)訊】（記者 雷霆）5月10日消息，針對(duì)英特爾英特爾上周發(fā)布的3D晶體管技術(shù)，蘋(píng)果產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)前總裁吉恩·路易斯·蓋斯(Jean-Louis Gassée)日前表示懷疑，稱產(chǎn)品的推出才算是發(fā)布，發(fā)布技術(shù)突破新聞是為了掩蓋新產(chǎn)品的匱乏。

“這能足以打敗ARM嗎？多數(shù)觀察家對(duì)此持懷疑態(tài)度。突破性新聞只獲得了業(yè)內(nèi)“瞌睡連連”的反應(yīng)。我們有過(guò)經(jīng)歷：產(chǎn)品的推出才算是發(fā)布。業(yè)內(nèi)甚至懷疑，發(fā)布技術(shù)突破新聞，只是為了試圖掩蓋新產(chǎn)品的匱乏。”蓋斯批評(píng)稱，“英特爾在手機(jī)市場(chǎng)完全沒(méi)有份額，沒(méi)有一款智能手機(jī)使用x86處理器。”

Intel 22nm制程tri-gate晶體管實(shí)物

Inteltri-gate晶體管結(jié)構(gòu)圖

上周三，英特爾推出了一款三維晶體管Tri-Gate。英特爾表示，與32納米的平面晶體管相比，22納米的三維晶體管Tri-Gate可以在低電壓條件下將性能提升37%。這項(xiàng)技術(shù)非常適用于小型便攜設(shè)備。

這款三維晶體管被認(rèn)為是英特爾在移動(dòng)領(lǐng)域抗衡其最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手ARM的砝碼。此前，英特爾希望借助凌動(dòng)處理器在智能手機(jī)市場(chǎng)進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，但業(yè)內(nèi)公認(rèn)，英特爾凌動(dòng)處理器盡管在功耗上有所突破，和ARM相比仍有差距。

“現(xiàn)在PC市場(chǎng)處于黃昏期，移動(dòng)設(shè)備快速發(fā)展，不斷竊取PC的市場(chǎng)份額，當(dāng)然，英特爾必須涉足這一領(lǐng)域。”蓋斯稱。

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本文標(biāo)題：蘋(píng)果前高管：英特爾以技術(shù)突破掩蓋新品匱乏

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